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第1126章没有集成基带，所以功耗更高(第1/2页)
“R6和ZnOte4的物料清单已经冻结了，各条产线都在准备开始备货，就是Ultra那个版本……”俞学林看了陈星一眼，“我听扬拓说，方案被你打回来了？”
“打回去了。”
“270克，11毫米厚，你觉得消费者拿在手里是什么感觉？”
俞学林笑了一声，“270克？那确实过分了点。”
“不是过分了一点，是过分了很多。”陈星把手里的笔扔到桌上，“后盖用陶瓷我能理解，手感好，有质感，但陶瓷的良率你也清楚，X2就是吃了陶瓷的亏。”
“扬拓和巫海秋那帮人，一听Ultra就开始往里面塞东西，恨不得把家里的锅碗瓢盆都塞进去。”
“超采样系统要大镜头，大镜头就凸，凸了就得做厚机身去包，机身厚了电池也跟着做大了，电池大了重量就上去了，重量上去了手感就完蛋了。”
“一环扣一环，扣到最后出来一台270克的怪物。”
俞学林也有点头疼，“那现在改的话，时间上会不会来不及？八月的发布会……”
“我跟扬拓说了，赶不上就推到年底，宁愿晚也不拿半成品出来糊弄消费者。”
俞学林想了想，“其实咱们的开模调试速度在行业里已经是最快的了，整条供应链都是第一优先级给咱们服务。如果下个月中旬之前能定稿，我这边紧赶慢赶，还是能冻结BOM赶上八月的节奏。”
“中旬之后呢？”
“那就只能等年底了，排产周期卡在那里。”
陈星点了下头，“那就给扬拓和巫海秋一个死线，七月十五号之前把修改后的方案定了，过了这个时间就别想八月上市了。”
“行，Ultra的事情我盯着，扬拓那边有进展我第一时间通知您。”
俞学林刚准备走，陈星又叫住了他。
“等一下，H3的量产情况怎么样了？”
“T**C那边28纳米HPM工艺的产能，去年咱们就预定了，晶圆供应没问题，已经开始量产了。”俞学林说，“陆教授那边一直在调功耗和发热。”
“主要是主频拉到2.6GHZ有点太高了。”
陈星沉吟了一下。
H3是凌霄系列的第三代芯片，也是红星今年下半年所有旗舰产品的核心。
这颗芯片的性能跑分确实比较OK，纸面参数比骁龙800还要强一点点。
但是！
漏电问题在HPM工艺下，也开始随着主频拉高而暴露了。
想了想，陈星按了一下桌面上的通话器。
“小沈，去请陆教授过来一趟。”
大约十坤分后，陆远江才过来，进门看到俞学林也在冲着他点了点头，然后说道：
（本章未完，请点击下一页继续阅读）第1126章没有集成基带，所以功耗更高(第2/2页)
“陈总，不好意思，实验室那边在跑一组频率稳定性测试，走不开。”
“没事，坐。”
陈星指了一下沙发，陆远江在俞学林旁边坐下。
“陆教授，俞总刚跟我说了H3的热阈值调试还在进行，目前还有问题？”
陆远江点了下头，没有任何遮掩。
“是的，坦白说问题比我预期的要顽固一些。”
“具体说说。”
“陈总，那我直说了，芯片主频拉到2.6GHZ以后，功耗和发热确实到了一个比较极限的位置。”
“芯片主频越高，需要的核心电压越高。CPU的功耗和电压的平方成正比，同时和频率成正比。”
“HPM工艺本身的特点就是静态漏电流比LP工艺更大，主频越往上拉，越逼近工艺极限频率，晶体管的漏电就越厉害。”
“通俗点说，就是芯片在什么都不干的时候，也在发热。”
陈星点头，这些基础原理他也清楚。
俞学林插了一句，“空闲都在发热？那干活的时候岂不是……”
“所以问题就在这里。”陆远江把笔放下，“对比膏通骁龙800的2.3GHZ到我们的2.6GHZ，频率提升了大约13%，但核心电压也相应提升了，综合下来功耗上涨了20%到30%之间。”
“这就是发热的根源之一。”
陈星没说话，等他继续往下讲。
陆远江搓了搓手，“我们团队做了一组和骁龙800的详细对比数据，陈总你看一下。”
“骁龙800这颗SOC，短时峰值功耗大约在4.2到4.5瓦之间，可持续稳定释放在2.8到3.2瓦。”
“我们凌霄H3呢，可持续稳定释放是3.3到3.5瓦。这个差距不大，在可接受范围内。”
陈星和俞学林对视了一眼，峰值功耗压得比骁龙低，说明芯片本身的能效比不错，起码比膏通的骁龙800要强。
“日常轻负载的时候，比如刷围脖、看新闻这种场景，整机SOC平均功耗在0.8到1.2瓦。idle空闲的漏电比骁龙800略高一点，这是2.6GHZ高频版本晶体管漏电的代价，没法完全消除，只能通过调度策略去缓解。”
说到这里，陆远江停顿了一下。
“但是！”
“数据上网场景下，问题就出来了。”
“骁龙800在数据上网时，SOC加基带的总功耗大约在3.4到3.8瓦。”
“我们凌霄H3呢，同样的场景，总功耗要到4.0到4.4瓦。”
