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科技入侵现代 第174章 最误打误撞的一集

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作者:鸦的碎碎念 分类:灵异 更新时间:2025-05-04 12:57:09 来源:源1

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第174章最误打误撞的一集

「我们的实验室产能已经能够做到6N了,如果我们能够达成合作,我们有把握在一年以内把量产的产能做到7N。」

量产7N什麽概念。

苏俄也没这技术。

东德现在还在4N朝着5N爬行呢。

华国方面不太清楚,但东德他们有所了解。

德州仪器首批商用逻辑晶片,用的也就是6N到7N之间。

房间里口水吞咽的声音显得格外清晰。

相当于直接就赶超了矽谷当前最新水平。

「黄博士,您说的是真的吗?」魏斯的声音有些乾涩。

穆勒放在桌下的手都已经捏紧了。

黄昆这时候显示出了强大的自信:「当然。

你们应该很清楚华国在工业基础上的薄弱,和东德之间的差距吧。

我们只能用简易的CZ法去拉单晶矽都能做到5N,这可是建立在取法高精度的坩埚材料和提纯设备基础上。

东德的工业基础比我们要好得多,也只能做到4N。

我们目前围绕7N的技术路线已经非常清晰,只是受限于材料和设备的短缺,导致我们无法朝着这个目标前进。」

魏斯看了眼穆勒,穆勒知道这时候该自己发言了:「黄博士,能详细给我们介绍一下你们的技术路线吗?」

黄昆起身站到早就准备好的黑板前:

「不知道你们听过离子注入技术吗?」

穆勒和魏斯回答道:「知道。」

黄昆接着说:「那就好,这一技术是半导体制造中用于在纯矽晶圆上引入掺杂剂的关键工艺,主要用于改变矽的电学性能。

也是矽谷那边提出来的概念技术。

我们已经完成了离子注入所有涉及到的植入分布的数据预测,包括了离子与晶格的碰撞丶核阻止和电子阻止带来的能量损失丶缺陷形成和扩散等。」

「不可能!」魏斯忍不住了。

也就是因为黄昆确实是晶格动力学领域的奠基人之一,不然他得说你在骗我们了。

正是因为他们都是熟知半导体工艺的科学家加工程师,所以他们才知道这难度有多大。

一般半导体的制造流程,都是边生产边调试。

现在华国人和你说,我们在数学层面已经完成模拟了,甚至还模拟出来了不错的结果。

这有点超出他们认知了。

「黄博士,我不是质疑你的能力,而是这听上去有些太过于不可思议了。

这就好比我们都在探索一片森林,你们明明没有出发,却告诉我们,我们已经看到了整个森林的全貌一样,只需要我们借给你一些道具,你们就能够成功探索完整个森林。

博士,你懂我的意思吗,这太不可思议了。

离子注入我有了解,我们也有做一些理论上的研究,它涉及到如此复杂的物理过程,很难想像,它能够靠计算把它给算出来。」

黄昆心想,是啊,如果没有树莓派我也不敢相信我们做到了,「不管你信不信,事实就是如此。

不然我们也不敢说一年时间能够突破到7N。」

黄昆没敢说,我们能够看到森林全貌是因为我们有卫星,卫星已经把森林扫了一遍。

黄昆接着说道:「我后续可以给你一部分的数据和数学模型,你们可以回去验证,看我说的是不是对的。

好了接着说,因为离子注入对矽的纯度有要求,现在5N的矽肯定无法满足离子注入的要求。

我们至少要把矽的纯度再提高一个量级。

这不仅仅是收音机这一个产品,功率器件和低噪声电晶体用高纯度矽能有更好的表现,也是我们在做其他半导体元器件的时候,基于离子注入的高纯度矽能有好得多的表现。

所以在矽提纯方面,我们需要在提纯设备和检测手段上进行合作。

同样的,在晶体生长精度上我们能够给东德提供帮助。」

这里的晶体生长控制,依赖的是温度梯度控制和掺杂剂添加,为的是确保晶圆的均匀和稳定,华国在这方面有着天然的优势。

「而一旦能够造出高纯度的矽,我们就能进行下一步的离子注入。

在离子注入上,我们缺乏离子植入机丶高精度加速器丶稳定离子源丶高真空系统和质量分析器,缺乏高温退火设备和电学测试能力缺失。

而我们的优势是元器件设计丶计算模拟和物理模型的构建。

我们和有着天然合作的基础。」

黄昆说完后,魏斯想了想:「黄博士,你说的那些是虚的,我们要提供的是实际的设备。

而且你刚才所说的那些设备里,很多我们也没有。」

黄昆说:「我知道,但以东德的工业基础,这些东西我们负责设计,你们负责生产,我们是能造出来投入使用的。

你们也被限制,无法获取半导体工业制造的离子植入机。

但我们可以提供设计上的帮助,去构建高精度丶稳定且适用于半导体制造的设备。」

华国在材料学上太过于孱弱,导致空有树莓派,就像一个武林高手空有招数,而没有内力一样尴尬。

不仅仅是树莓派,包括华国的科学家们在理论上的内功是非常扎实的,又有一整个华国内陆市场,造出来的半导体元器件能够消化掉。

而东德则空有内力没有招数。

他们缺乏市场,苏俄给他们的定位又不是造半导体,所以压根没有多少资源投入到半导体产业中来。

他们空有一定的半导体器件设计能力,但制造生态不成熟,缺乏完整的产业链支持,无法实现从设计到量产的闭环。

也正因如此,华国方面天然希望和东德围绕此事达成合作,用东德的内力来培养自己的实力。

「黄博士,你说的很美好,但现在的问题是,我们如何能够相信你们?」

黄昆从自己的公文包里抽出一份文件:「这是一份关于离子注入全过程模拟的论文,你们可以回去看看,这篇论文足够展示我们的能力。」

如果说和李志强聊的内容都是空话,一点进展都没有的话,那麽和黄昆聊的就属于乾货太多。

里面很多内容,即便是资深从业人士,也无法判断真假。

魏斯和穆勒二人觉得很有收获,但这收获到底价值几何,他们无法判断。

「黄博士,我们回柏林之后一定认真研究您的这篇论文,后续非常期待和华国方面能够达成合作。」

黄昆看着对方离去的背影,内心希望能够不受zz环境的影响,和东德达成合作。

阿美莉卡给的压迫太足了,足到他们不得不把这种关于离子注入的部分研究结果掏出来,希望藉此获得和东德的合作。

如果不是阿美莉卡,他们其实完全不介意慢慢研发,慢慢爬科技树。

东德科学院的一间会议室内,气氛严肃而专注。

穆勒和汉斯眼前坐着的是赫尔曼教授,负责科研项目决策的专家,除了赫尔曼之外还有马尔蒂斯·法尔特,他是东德半导体的核心人物。

他正坐在桌前,手中拿着一篇刚刚从中国传来的论文。

他的眉头紧锁,眼中闪烁着震惊与兴奋交织的光芒。

法尔特深吸一口气,缓缓开口,声音中透露出难以掩饰的激动:

「和黄所说的一样,他们构建的这套理论,描述了离子在固体中分布和停留,完全可以看作是这个领域的标准模型。

它描述了高能离子束轰击矽晶体时,离子在材料中的分布规律。理论的核心是离子能量损失的两种机制,也就是核阻止和电子阻止。

黄通过求传输方程,给出了离子在材料中的深度分布,它认为这样的分布近似于高斯分布。

哦天哪!他甚至还根据离子种类和能量,试图去精确计算离子平均的穿透深度和分布的方差。」

法尔特的手指在论文上划过,指向一幅高斯分布曲线,

「你们看这里,他们展示了掺杂剂在矽晶体中的深度分布,并用霍尔效应测量验证了结果,模拟与实验数据高度吻合。

只是受限于实验设备,他们的实验做的比较粗糙,最终离子注入的效果也不够好。

但他们的实验结果虽然不好,但实验结果和计算模拟的结果非常吻合!

不愧是黄,在理论物理上的造诣,有着大师级水准。」

赫尔曼问道:「法尔特教授,有没有可能华国人伪造了实验数据?」

法尔特摇头道:「没有必要,因为实验我们能够复现。

他们用来模拟的实验结果用的就是基础设备,又不是二次离子质谱技术。

总之如果快的话,我们这几天就能模拟一个结果出来,看和华国的模型结果是否一致。

如果验证成功的话,那麽可以证明华国在理论基础丶模型构建和模拟计算上确实有自己的一套。」

赫尔曼问道:「所以,法尔特教授,您的意思是我们应该要和华国合作?」

法尔特点头:「当然。」

东德的德勒斯登将在未来慢慢成长为整个苏俄阵营的微电子和半导体工业中心。

在八十年底的时候,拥有超过四万名雇员。

而其中最大的企业是生产DRAM,也就是存储晶片的ZMDI。

东德ZMDU61000,1Mb存储量,CMOS工艺,东德冷战末期生产的最高端内存晶片。

什麽水平,大致和日立丶NEC1984年同等水平。

不能算强,但绝不算弱。

而现在,得益于OGAS计划,东德已经提前往半导体领域投入资源了。

如果不是因为这个原因,他们压根不可能会派魏斯和穆勒前往华国,只为确认华国的技术到底到了哪个地步。

因为如果不是对半导体空前重视,华国在苏俄阵营的工业版图里确实排不上号。

华国掌握的是一部分释经权,以及农业和军事,它的定位不是工业国,此时的苏俄也不希望华国成为工业国。

如果华国在工业技术上达到和东德一个水平,恐怕苏俄要夜不能寐了。

片刻后法尔特接着说道:「华国同行们绘制了离子深度分布曲线,并且展示了他们的理论和实验高度一致。

我认为我们应该推动合作。」

赫尔曼听完后点头道:「我会去推动此事的,不过你们别报太大期望。

毕竟华国同行们想要合作的技术里,离子注入相关设备还是过于敏感,你们知道的。」

在座各位面面相觑。

大家都是知识分子,看报纸属于是每日例行任务了。

自然知道,此时华国正在研发原子弹。

而离子注入相关技术又包括了大量离子相关设备,也许和核武器无关,但谁又能保证,华国不会将其运用到核武器研发中呢?

「教授,你是说核武器研发?」

「没错。」

法尔特辩解道:「离子注入所需的精密设备和核武器无关啊。

核武器研发的目标是实现核裂变或聚变反应,涉及极高的能量和大规模设施,而离子注入专注于微观尺度的半导体掺杂,能量需求和设备规模差异显着!

他们压根就不是一回事。」

作为东德半导体的负责人,法尔特非常迫切希望能够推动和华国的合作,因为他从中看到了东德半导体迅速发展的曙光。

赫尔曼伸出手往下压,示意法尔特冷静:「我知道,我当然知道。

但问题是,我们得说服米特区的官僚们,他们还得去说服克里姆林宫的官僚们,我们和华国的合作是半导体领域的,是纯技术的,和核武器无关。

可问题在于,哪怕是半导体技术,它也能用到飞弹的控制系统上。

这些都是我们和华国开展合作的阻碍!」

东柏林的科技与科学部大楼

桌子一侧坐着赫尔曼,对面是弗里德里希·施密特,负责国际科学合作的高级官员,他的表情一如既往地冷静。

弗里德里希看着报告,低声说道:「不可思议。华国的半导体物理研究已经达到了这样的高度,他们的理论居然能够达到这个程度。」他的语气中带着一丝敬佩。

赫尔曼双手交叉,沉声道:「确实令人印象深刻,弗里德里希同志。」

弗里德里希谨慎道:「但我们必须小心。半导体技术不仅关乎科学。一个错误的决定,可能带来无法承受的后果。」

赫尔曼点头道:「您说得对。他们的技术令人叹服,但军事应用的潜力不容忽视。如果我们涉足太深,可能会暴露自己的弱点。不过,我认为这里有一个机会,我们可以选择一个有限的领域合作,比如光学。」

「光学?」弗里德里希挑了挑眉,眼中闪过一丝思索的光芒,「说下去。」

赫尔曼倾身向前,语气变得坚定:「光学领域可以充分利用他们的高精度模拟技术,而不至于触及半导体核心和核武器有关的敏感部分。

我们可以提议合作研发光学仪器。这既能让我们学习他们的方法,又能将合作范围控制在安全边界内。

加上半导体需要用到光学的领域有很多,我们在光学领域有着独到的优势,华国人想必会对此满意的。」

弗里德里希嘴角微微上扬,露出一抹罕见的笑意:「聪明。这是个可行的折中方案。光学有战略价值,但不会直接威胁到克里姆林宫的安全底线。」

两人对视一眼,彼此心领神会。

弗里德里希拿起一支钢笔,手指在纸上飞快地写下笔记:「我们需要起草一份提案,提交给上级。合作限定在光学领域,明确边界。可以强调双方的互利。」

他脑中已开始盘算政治层面的影响。这不仅能拉近与华国的关系,还能在不激怒盟友的前提下提升东德的技术水平,他暗自思忖。

「提案中要突出非军事用途,」弗里德里希喃喃自语道,声音小但却带着不容置疑,「避免任何误解。」

「当然。我们将其定位为纯粹的科学合作,为了两国科技的共同进步。」

这对华国来说也算是达到了目的的一半。

光刻技术起源于1950年代,最初用于制造电晶体和简单半导体器件。1957年,德州仪器就开始将光刻技术应用于矽晶圆,取代了手工掩模和化学蚀刻的低效方法。

但此时的华国没有商用光刻机,只能依赖简易的实验性曝光设备。

光刻胶丶蚀刻液和掩模材料这些自己有产能,能造,无非是好用不好用的区别。

但曝光光源和光学镜头这两块,华国压根没办法获取。

因此东德把合作领域限制在光学,由大名鼎鼎的蔡司牵头的时候,黄昆和钱院长汇报导:

「东德果然还是上钩了。」

(本章完)

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